偏鎢酸銨晶體是生產(chǎn)鎢產(chǎn)品的重要的中間化合物（或原材料），而鎢產(chǎn)品是重要的工業(yè)材料，其雜質(zhì)含量需要嚴(yán)格控制和準(zhǔn)確檢測(cè)。近年來對(duì)其純度要求越來越高，需分析雜質(zhì)元素種類越來越多。其中，對(duì)于偏鎢酸銨晶體中痕量鉍的測(cè)定可以采用共沉淀分離-氫化物發(fā)生-原子熒光光譜法實(shí)現(xiàn)。
共沉淀分離-HG-AFS測(cè)定APT晶體中鉍的分析方法是在考察鎢基體影響，研究采用共沉淀分離手段在堿性條件下分離鎢基體并富集痕量鉍的實(shí)驗(yàn)條件，優(yōu)化選擇共沉淀劑的種類、濃度等條件，考察鎢殘留濃度的基礎(chǔ)上建立起來的。氫化物發(fā)生-原子熒光光譜法（HG-AFS）具有靈敏度高、選擇性好且基體干擾小的優(yōu)點(diǎn)。
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